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英集芯AC-DC芯片方案開發(fā)案例_聚泉鑫

2024-07-24 17:04      網絡   聚泉鑫科技    瀏覽次數:(


一、IP2006H:高性能多模反激控制器

特性

 VDD耐壓高至65V

先進的抖頻技術

 集成輸入/輸出電壓功率補償

 豐富的可配置選項:

  - 驅動電壓

  - 最高工作頻率

  - UVP閾值,OVP閾值,OTP閾值…

 可選的模態(tài)配置

  - CCM+QR混合模式

  - 純QR模式(不鎖谷底/固定谷底)

 多重保護功能:

  -Brown In/Out保護

  - OVP,UVP,OCP,OPP,OTP…

特性

 VDD耐壓高至65V

先進的抖頻技術

 集成輸入/輸出電壓功率補償

 豐富的可配置選項:

  - 驅動電壓

  - 最高工作頻率

  - UVP閾值,OVP閾值,OTP閾值…

 可選的模態(tài)配置

  - CCM+QR混合模式

  - 純QR模式(不鎖谷底/固定谷底)

 多重保護功能:

  -Brown In/Out保護

  - OVP,UVP,OCP,OPP,OTP…

英集芯AC-DC芯片方案開發(fā)案例

IP2006H:高性能多模反激控制器

可選配置項功能描述

可選配置項

可選的驅動鉗位電壓:用于驅動MOSFET或者GaN可選

8V                                            6V

可選的VS電壓過壓保護點,匹配不同輸出電壓的系統,提供更為豐富的

輸出過壓保護點

3V                                            2.8V 2.5V                                        2.1V

可選的VS OVP保護邏輯,提供可選的保護模式

Disable                              close drive 重啟2cyclese                         latch

可選的最大鉗頻匹配不同應用場景

250KHz                                333KHz

125KHz                                167KHz                     83KHz                                 100KHZ 71KHz                                  62KHz                                             

可選工作模式,匹配不同應用場景需求

QR模式       CCM+QR自然切換模    HL QR+LL CCM模式

可選QR模式,匹配不同應用場景需求

QR不鎖谷底模式            QR鎖固定谷底模式

可選的鎖谷底數,匹配不同應用場景需求

固定第一谷底       固定第二谷底     固定第三谷底

可選的抖頻幅度匹配不同工作頻率設計

±375ns                           ±250ns

可選的斜率補償幅度,匹配不同應用場景需求

8mV/μs                           16mV/μs 24mV/μs                          32mV/μs

可選的Burst Mode進出點,平衡噪音與輕載效率

1V                                0.84V 0.7V                              0.6V

二、IP2002/IP2008系列:高性能SR控制器/功率開關

特性(IP2002T)

 檢測管腳耐壓高至80V

 兼容高邊/低邊工作模式

 兼容DCM/CCM工作模式

 內置65V高性能SGT(IP2002TS/TH)

 豐富的可配置選項:

 - 驅動電壓

 - 最小開通時間

 - 預關斷電壓閾值


特性(IP2008)

 檢測管腳耐壓高至150V

 兼容高邊/低邊工作模式

 兼容DCM/CCM工作模式

 兼容業(yè)界主流封裝


IP2002/IP2008系列:高性能SR控制器/功率開關

名稱

功能描述

可選配置

默認配置

VDS_ON<1:0>

可選的開通閾值電壓電壓,用于優(yōu)雅效率,平衡效率與魯棒性

00:-200mV           01:-162MV  

10:-120mV           11:86mV

11

VDD_HVREG

可選的VDD電壓調整電壓,匹配不同Vth SGT MOSFETGaN HEMT

0:9V                         1:6V

0

TBON_SEL<1:0>

可選的最小開通時間,匹配不同工作頻率的系統應用場景

00:0.3μs                01:0.45μs  

10:1.1μs                   11:-1.5μs

10

R40MV_SEL<2:0>

可選的預關斷電壓,匹配不同電流應用下最優(yōu)化效率及SRMOSFET的選取

000:-55mV          001: -50mV

010: -45mV         011: -40mV

100: -35mV         101: -30mV

110: -25mV          111: -20mV

011


三、IP2073:Simplest Switch系列反激式轉換器

IP2073:Simplest Switch系列反激式轉換器1

IP2073:Simplest Switch系列反激式轉換器2

IP2073:Simplest Switch系列反激式轉換器3

IP2073:Simplest Switch系列反激式轉換器4

IP2073:Simplest Switch系列反激式轉換器5

IP2073:Simplest Switch系列反激式轉換器6

四、Demo展示

1.單C口 45W max

IP2006H+IP2008+IP2736

30.5*30.5*29mm小尺寸設計

外置CaseCode結構耗盡型GaN HEMT

多協議兼容(PD/UFCS/QC…)

單C口 45W max

2.單C口 65W 

IP2006H+IP2008+IP2723TH

46*46*22mm小尺寸設計

支持全電壓持續(xù)滿功率輸出

滿足EMI接地測試要求

外置增強型GaN HEMT

多協議兼容(PD/UFCS/QC…)

單C口 65W

3.單C口 65Wmax 

IP2006H+IP2008+IP2723TH

74*39*8mm小尺寸超薄設計

PCB平板變壓器設計

低電壓輸入功率降額至40Wmax

外置增強型GaN HEMT

多協議兼容(PD/UFCS/QC…)

單C口 65Wmax

4.雙C口 35Wmax 

IP2006H*2+IP2008*2+IP2738

46*39*20mm小尺寸設計

外置SJ-MOSFET

單口模式下雙ACDC并聯均流輸出

多協議兼容(PD/UFCS/QC…)

雙C口 35Wmax

5.雙C口 65W 

IP2006H*2+IP2008+IP2738

   +IP6550*2

65*30*28mm小尺寸設計

外置增強型GaN HEMT

任意單口支持65W輸出

多協議兼容(PD/UFCS/QC…)

雙C口 65W

6.2C+1A口 65W 

IP2006H*2+IP2008+IP2726

   +IP2736+IP6550*2

52*41*32mm小尺寸設計

外置增強型GaN HEMT

任意C口支持65W輸出

多協議兼容(PD/UFCS/QC…)

2C+1A口 65W

7.單A口 33Wmax

IP2073+IP2002TH+IP2233

雙繞組變壓器設計

極簡外圍電路

極致低成本單面PCB設計

支持多種協議(QC/VOOC/SCP…)

單A口 33Wmax

8.單C口 30W

IP2073+IP2002TH+IP2736

雙繞組變壓器設計

極簡外圍電路

極致低成本單面PCB設計

多協議兼容(PD/UFCS/QC…)

單C口 30W

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