芯控源AGMSEMI原廠授權(quán)代理商
聚泉鑫科技是芯控源AGMSEMI原廠授權(quán)代理商,原裝正品芯片,一級(jí)代理,供應(yīng)保障,有技術(shù)支持,目前技術(shù)團(tuán)隊(duì)有13人,不同工程師負(fù)責(zé)不同領(lǐng)域。芯控源產(chǎn)品領(lǐng)域有:汽車(chē),通信,工業(yè),家電,消費(fèi)電子;主要從事:PD快充應(yīng)用,無(wú)刷電機(jī)應(yīng)用,無(wú)線充應(yīng)用,電池管理應(yīng)用,PFC+LLC電源應(yīng)用,直轉(zhuǎn)交流逆變器,高中低壓MOS,碳化硅MOS,IGBT產(chǎn)品選型表,IPM模塊等研發(fā)生產(chǎn)。
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無(wú)線充應(yīng)用
智能、便攜產(chǎn)品的發(fā)展,注定無(wú)線充產(chǎn)品將會(huì)得到消費(fèi)者的青睞, 無(wú)線充電技術(shù)憑借著簡(jiǎn)單、高效的特點(diǎn)在智能手機(jī)領(lǐng)域獲得了巨大的成功。
無(wú)線充電器是利用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行充電的設(shè)備,其原理和變壓器相似,通過(guò)在發(fā)送和接收端各安置一個(gè)線圈,發(fā)送端線圈在電力的作用下向外界發(fā)出電磁信號(hào),接收端線圈收到電磁信號(hào)并且將電磁信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏?,從而達(dá)到無(wú)線充電的目的。無(wú)線充電技術(shù)是一種特殊的供電方式,它不需要電源線,依靠電磁波傳播,然后將電磁波能量轉(zhuǎn)化為電能,最終實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電。
針對(duì)無(wú)線充產(chǎn)品,芯控源推出適用于電路中H橋的低內(nèi)阻的雙N或都N+P封裝的MOSFET,以及在多線圖中切換40V,60V的雙N-MOSFET,適配于各類(lèi)主控芯片的驅(qū)動(dòng),電壓從20V-100V,封裝有SOT23-6,SOP-8,DFN3X3,DFN5X6等,芯控源推出的低阻抗,開(kāi)關(guān)頻率高的MOS產(chǎn)品,使無(wú)線充可以更高效率,更小形,更大功率。
PD快充應(yīng)用
PD快充,主要適配在手機(jī)、筆記本充電器、電動(dòng)工具等。PD的核心部分為AC-DC及SR副邊控制,由于現(xiàn)在前級(jí)高壓GaN器件的量產(chǎn),使產(chǎn)品的體積更小,方案的頻率提到150KHZ,此時(shí)對(duì)SSR同步的可靠性與能效比有著較高的要求。而開(kāi)關(guān)控制器件則在其中扮演著核心角色,合理的器件選擇能有效降低損耗,提高可靠性,降低EMC。
針對(duì)現(xiàn)代PD電源的需要,芯控源推出的SGT低壓MOSFET產(chǎn)品,且有開(kāi)關(guān)響應(yīng)迅速,能效更高,發(fā)熱更低,可用于150KHZ的以上的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,使系統(tǒng)表現(xiàn)更優(yōu)秀。
芯控源的SGT系列產(chǎn)品具有更快的開(kāi)關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗、極低的柵極電荷(Qg),從而降低了器件的功率損耗,提高系統(tǒng)效率。同時(shí),由于采用了自主創(chuàng)新技術(shù),優(yōu)化了器件的開(kāi)關(guān)特性,器件在系統(tǒng)中具有更好的EMI表現(xiàn)。另外,多樣的封裝形式能滿足客戶的不同需求。
電池管理應(yīng)用
隨著新能源的發(fā)展,電池的產(chǎn)品更加豐富,電池的安全成了人們生活中重要的一部分。電池管理系統(tǒng) (BMS) 是一種電子控制電路,可監(jiān)控并調(diào)節(jié)電池的充放電,并對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)節(jié),從而控制鋰電池的充放電情況,從而對(duì)鋰電池在面臨過(guò)充或過(guò)放失控的時(shí)候及時(shí)切斷鋰電池的通路,保證電池的安全性。
芯控源針對(duì)電池管理系統(tǒng)的安全及可靠需求,開(kāi)發(fā)出具有良好的抗電流沖擊能力的產(chǎn)品,可以充分保證被控電池周邊人員的安全,極大的提高應(yīng)用的可靠性也更能保證整個(gè)電池管理系統(tǒng)的正常運(yùn)行。例如Super Trench MOSFET 系列產(chǎn)品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽技術(shù),降低了器件的特征導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg),全面提升了產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻溫度特性,有效控制了器件導(dǎo)通電阻隨溫度增加而上升的幅度,從而顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。產(chǎn)品將更適宜于高溫嚴(yán)酷環(huán)境下的應(yīng)用。
無(wú)刷電機(jī)應(yīng)用
無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成,是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器(或集電環(huán))的電機(jī),又稱無(wú)換向器電機(jī)。由于BLDC產(chǎn)品具有無(wú)刷,高效,高壽命,靜音的優(yōu)點(diǎn),近年來(lái)得到高速的增長(zhǎng),市場(chǎng)在不斷的從有刷電機(jī)替換成無(wú)刷電機(jī)。如:泵、扇、電動(dòng)工具、園林工具、電動(dòng)雙輪車(chē)等等。
芯控源Normal Trench MOSFET系列&Super Trench MOSFET系列,在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致,全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性。特別是Super Trench技術(shù)為您帶來(lái)了更低的導(dǎo)通損耗以及更好的開(kāi)關(guān)特性,如今新的SGT產(chǎn)品較第一代產(chǎn)品綜合性能提升20% 以上,使您獲得更高的效率。同時(shí)如果更加關(guān)注成本,也可以選擇Normal Trench MOSFET系列,來(lái)獲取更高的性價(jià)比。
配合先進(jìn)的封裝技術(shù),提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度,同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)過(guò)程中的抗沖擊耐量,實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
PFC+LLC電源應(yīng)用
PFC+LLC大功率電源,廣泛運(yùn)用于日常生活的各項(xiàng)電器電源中,如工業(yè)設(shè)備、LED照明、電動(dòng)車(chē)充電器、儲(chǔ)能電池等等。適配器的核心部分為AC-DC控制器,由于高壓的存在,對(duì)器件的可靠性與能效比有著較高的要求。而開(kāi)關(guān)控制器件則在其中扮演著核心角色,合理的器件選擇能有效降低損耗,提高可靠性,降低EMC。
針對(duì)大功率電源的需要,我司針對(duì)前級(jí)高壓MOS,推出Super-Junction技術(shù)的應(yīng)用同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更大電流和高壓能力,并且開(kāi)關(guān)響應(yīng)迅速,能效更高,發(fā)熱更低,針對(duì)SSR次級(jí)半橋/全橋的應(yīng)用,推出Low Ciss SGT 低壓MOSFET,可用于高達(dá)150KHZ或以上的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,使系統(tǒng)表現(xiàn)更優(yōu)秀。
芯控源SGT MOSFET產(chǎn)品具有更快的開(kāi)關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗、極低的柵極電荷(Qg),從而降低了器件的功率損耗,提高系統(tǒng)效率。同時(shí),由于采用了自主創(chuàng)新技術(shù),優(yōu)化了器件的開(kāi)關(guān)特性,器件在系統(tǒng)中具有更好的EMI表現(xiàn)。另外,多樣的封裝形式能滿足您的不同需求。
直轉(zhuǎn)交流逆變器
DC-AC逆變器是一種能夠?qū)?DC12V-48V直流電轉(zhuǎn)換為交流與市電相同的電壓,供一般電器使用,車(chē)載逆變器主要由DC-DC升壓電路、AC-DC全橋逆變電路、防反接電路組成,近年來(lái),由于全球新能源汽車(chē)的增長(zhǎng),和能源危機(jī)及能源排放的雙重影響下,儲(chǔ)能電池及太陽(yáng)光伏產(chǎn)品得到爆發(fā)的增長(zhǎng),DC-AC逆變器也隨之進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)中。
芯控源擁有豐富的分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品, 包括中低壓MOSFET、高壓超結(jié)以及IGBT,可提供最匹配應(yīng)用性能需求的產(chǎn)品,以實(shí)現(xiàn)逆變器高轉(zhuǎn)換效率的要求。
芯控源著重推出全新一代Trench FS IGBT系列產(chǎn)品,通過(guò)釆用高密度器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及先進(jìn)的超薄芯片加工工藝,優(yōu)化載流子注入效率和載流分布,顯著降低器件的飽和壓降和關(guān)斷損耗,從而降低器件功耗,提升系統(tǒng)效率。
IGBT產(chǎn)品選型表
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極晶體管,是在普通VDMOS基礎(chǔ)上,晶圓背面增加了P+注入,利用電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)在漂移區(qū)增加載流子數(shù)量,從而大幅度降低器件的導(dǎo)通電阻和芯片面積。IGBT器件電流密度高且功耗低,能夠顯著提高能效、降低散熱需求,適用于高電壓、大電流等大功率場(chǎng)景。
AGMSEMI的IGBT采用目前業(yè)內(nèi)最新的trench FS工藝,依托于國(guó)內(nèi)成熟且工藝領(lǐng)先的8寸/12寸晶圓生產(chǎn)線,擁有更低的導(dǎo)通壓降和開(kāi)關(guān)損耗,以及更強(qiáng)的可靠性。
目前芯控源IGBT產(chǎn)品根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同,擁有F、S、D、L等系列,覆蓋了600V~1200V以及5A~900A的功率范圍,廣泛應(yīng)用于通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、電焊接、開(kāi)關(guān)電源以及新能源等領(lǐng)域。