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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯IP2752 USB Type-C PD電源管理解決方案

2025-03-27 查看(990)

深度解析IP2752 USB Type-C PD控制器的技術(shù)特性、引腳功能、電氣參數(shù)及典型應(yīng)用場(chǎng)景。了解這款支持PD3.1協(xié)議的控制器如何為移動(dòng)設(shè)備提供高效電源管理解決方案。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 IP2261 PD協(xié)議芯片：高性價(jià)比光耦調(diào)壓解決方案 | 英集芯科技

2025-03-27 查看(688)

英集芯IP2261 SOP8封裝PD協(xié)議芯片，支持PD3.1/QC4+/SCP等全協(xié)議，18-33W電阻可配，光耦調(diào)壓技術(shù)降低BOM成本30%，替代富滿/慧能泰方案的優(yōu)選設(shè)計(jì)...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯IP2723TH集成多種協(xié)議用于USB端口的快充協(xié)議IC

2024-12-18 查看(996)

IP2723TH 具備高集成度與豐富功能，在應(yīng)用時(shí)僅需極少的外圍器件，有效減小整體方案的尺寸，降低 BOM 成本。適用于單向快充輸出應(yīng)用,交流電源適配器,車充,帶 PD 輸出功能的系統(tǒng)應(yīng)用。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯PD快充全套多口方案選型介紹_聚泉鑫

2024-12-18 查看(956)

雙C口并聯(lián)方案，雙C并聯(lián)方案，覆蓋輸出35W~100W功率段。2C1A雙路并聯(lián)方案，2C1A并聯(lián)方案，在雙C并聯(lián)方案基礎(chǔ)上增加一A口，覆蓋輸出35W~100W功率段。2C1A/3C雙Flyback方案--任意雙插獲得最大功率，2C1A/3C分立方案，覆蓋輸出35W~100W功率段。2C1A雙Flyb...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯IP2736/36U集成多種協(xié)議USB 端口快充協(xié)議 IC

2023-11-04 查看(1015)

集成 PD2.0/PD3.1/PPS/EPR 28V 協(xié)議集成對(duì) E-Marker 線纜的識(shí)別和支持集成 Qc5/QC4+/QC3+/ac3.0/Qc2.0 協(xié)議支持 Class B 電壓等級(jí)，適配器、車充等單向輸出應(yīng)用提供完整的解決方案。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯IP2723T/TH集成多和協(xié)議,用于 USBC快充協(xié)議IC

2023-11-03 查看(1099)

IP2723TH 集成多種協(xié)議、用于 USB 輸出端口的快充協(xié)議 IC。支持多種快充協(xié)議，適配器、車充等單向輸出應(yīng)用提供完整的 TYPE-C 解決方案。IP2723TH 具備高集成度與豐富功能，在應(yīng)用時(shí)僅需極少的外圍器件，有效減小整體方案的尺寸，降低 BOM 成本。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 INN700TK350B是英諾賽科700V GaN增強(qiáng)型功率晶體管

2023-11-03 查看(1074)

英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開關(guān)管，采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬態(tài)耐壓為800V，具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓，220V輸入滿載輸出效率高達(dá)93.5%，體現(xiàn)氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 INN700D190B是英諾賽科700V硅基GaN增強(qiáng)型功率晶體管

2023-11-03 查看(1125)

INN700D190B英諾賽科GaN氮化鎵65W快充PD/QC充電器電源ic芯片,一款功能強(qiáng)大的硅基GaN增強(qiáng)型功率晶體管，適用于多種應(yīng)用，特別是需要高耐壓、高頻率、高效率和低開關(guān)損耗的應(yīng)用。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 INN700DA350B英諾賽科700VGaN增強(qiáng)型功率晶體管

2023-11-01 查看(805)

氮化鎵MOS,耐壓700V,內(nèi)阻mΩ350,封裝DFN5*6,適用功率45-75W,適配產(chǎn)品充電器。尺寸為5mmX6mm的雙扁平無鉛封裝(DFN)700V硅基GaN增強(qiáng)型功率晶體管,增強(qiáng)型晶體管正常關(guān)閉電源開關(guān)。...

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