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硅動力SP6645HF同步整流器芯片IC控制電路
2023-06-08 17:42 硅動力SP6645HF 同步整流器芯片IC控制電路 瀏覽次數(shù)：（）
硅動力
一、概述
SP6645HF 是一顆電流模式 PWM 控制芯片，內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，應(yīng)用于功率在 13W以內(nèi)的方案。SP6645HF 在 PWM 模式下工作于固定開關(guān)頻率，這個頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時，工作頻率由IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。SP6645HE 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電陽，以此來進一步減小待機時的功耗。
芯片內(nèi)置有斜坡補償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(Leading-edge blanking time)，消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的極管反向恢復(fù)申流對電路的影響。SP6645HE 采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6645HF 內(nèi)置多種保護，包括逐周期限流保護(OCP),過載保護(OLP),過壓保護(VDD OVP),VDD 過壓位,欠壓保護(UVLO,過溫保護(OTP)等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的 EMI 特性和開關(guān)的軟啟動控垂。
二、特點
全電壓范圍 (90Vac-265Vac) 輸入時待機功耗小于 75mw
內(nèi)置 650V 高壓功率管
4ms 軟啟動用來減少 MOSFET 上 Vds 的應(yīng)力
抖頻功能，改善 EMI 性能
跳頻模式，改善輕載效率，減小待機功耗
無噪聲工作
固定 65KHz 開關(guān)頻率
內(nèi)置同步斜坡補償
低啟動電流，低工作電流
內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能過載保護 (OLP)，逐周期限流保護 (OCP)
VDD 過壓保護(VDD OVP)，欠壓保護(UVLO，VDD 電壓位過溫保護(OTP)
SOP8 無鉛封裝
三、應(yīng)用范圍
充電器
PDA、數(shù)碼相機、攝像機電源適配器
機頂盒電源
開放框架式開關(guān)電源
個人電腦輔助電源
硅動力SP6645HF同步整流器芯片IC控制電路PDF文件：
SP6645HF_V1.0 CN.pdf
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