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英集芯IP6862芯片三路無(wú)線充方案設(shè)計(jì)_聚泉鑫
一、方案型號(hào)說(shuō)明
IP6862 是一款無(wú)線充電發(fā)射端控制芯片，片內(nèi)集成全橋驅(qū)動(dòng)電路、電壓&電流兩路ASK 通訊解調(diào)等模塊，最多支持三路無(wú)線充同時(shí)充電；主要型號(hào)如下：請(qǐng)按以下型號(hào)名稱申請(qǐng)DEMO 樣品。
二、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
1、檢測(cè)線圈電流使用的20 毫歐電阻，需要使用溫度系數(shù)好（100ppm）、1%精度的金屬膜電阻；如果采樣電阻精度不夠，或溫飄導(dǎo)致阻值偏移，會(huì)導(dǎo)致電流檢測(cè)不準(zhǔn)，影響IP6862 的正常工作；
2、手機(jī)充電的兩個(gè)20 毫歐采樣電阻，需要單獨(dú)從兩端走差分采樣線，否則會(huì)影響電流解碼和電流采樣精度，導(dǎo)致IP6862 工作異常。
3、H 橋應(yīng)使用NMOS 和PMOS，需要使用功率NMOS 和PMOS；選用的NMOS 要求源漏電壓VDS≥20V，持續(xù)電流ID≥5A，導(dǎo)通阻抗RDS(ON)≤15mΩ，推薦使用的雙NMOS 型號(hào)是RU30D20M2，單NMOS 型號(hào)是RU207C；選用的PMOS 要求VDS≤-20V，ID≤-5A，導(dǎo)通阻抗RDS(ON)≤15mΩ，推薦的當(dāng)PMOS 型號(hào)是RU30L30M。
4、經(jīng)過(guò)H 橋驅(qū)動(dòng)后，無(wú)線充的發(fā)射線圈與諧振電容通過(guò)產(chǎn)生諧振來(lái)傳遞能量，所以諧振電容的容值要求精確與穩(wěn)定（溫度特性要好），諧振電容要求使用NPO 電容或CBB 電容，不能使用普通的電容，否則會(huì)影響傳輸效率和工作穩(wěn)定性；
5、IP6862 會(huì)檢測(cè)無(wú)線充發(fā)射線圈的電流和電壓，線圈電流送入IP6862 進(jìn)行解調(diào)和解碼；線圈電壓只需經(jīng)過(guò)濾波，無(wú)需放大，送入IP6862 進(jìn)行解調(diào)和解碼；
6、自舉電路BST 引腳中的二極管，需要使用肖特基二極管；線圈電壓采樣電路中的二極管，可以使用普通的二極管；流過(guò)這些二極管的電流都不大，可以使用較小封裝的型號(hào)；
7、IP6862 可以配合外接的NTC 電阻，實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)功能；當(dāng)IP6862 檢測(cè)到NTC 引腳電壓小于1V 后，就
會(huì)關(guān)閉無(wú)線充發(fā)射；NTC 引腳默認(rèn)上拉電阻接56K，NTC 電阻參數(shù)B 為3950，常溫25℃為100K。未使用NTC 時(shí)，應(yīng)保證NTC 引腳上拉到VCC；
三、PCB 設(shè)計(jì)
1. 20mR 采樣電阻單獨(dú)走線，不能和GND 有重合，類差分走線到芯片端；參考走線如下：
圖1 線圈0 20mR 采樣電阻走線
圖2 線圈1 20mR 采樣電阻走線
2. 20 毫歐采樣電阻的GND 與系統(tǒng)GND 之間連接要良好，要求打10 個(gè)以上的過(guò)孔連接到系統(tǒng)地；
圖3 線圈0 20mR 接地鋪銅和過(guò)孔
圖4 線圈1 20mR 鋪銅和過(guò)孔
3. 線圈電壓采樣電路，屬于重要敏感的模擬信號(hào)，應(yīng)遠(yuǎn)離H 橋的開(kāi)關(guān)MOS，應(yīng)注意線圈電壓電流采樣電路的走線，避免與H 橋的輸入電源或驅(qū)動(dòng)信號(hào)有平行重合。
圖5 線圈0 功率部分和信號(hào)部分走線
圖6 線圈1 功率部分和信號(hào)部分走線
4. 無(wú)線充線圈和諧振電容的鋪銅，要避開(kāi)IP6862 或者其他功率IC 的低壓信號(hào)，不要與低壓信號(hào)平行走線，防止線圈或者電容的高壓耦合到低壓信號(hào)里面導(dǎo)致IC 工作異常；需要盡量保證功率MOS 的網(wǎng)絡(luò)走線盡可能的短且粗，環(huán)路面積盡量小；
圖7 線圈0 功率MOS 走線
圖8 線圈1 功率MOS 走線
圖9 線圈2 功率MOS 走線
鄭重申明：聚泉鑫以外的任何單位或個(gè)人，不得使用該案例作為工作成功展示！
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