SGT MOS-中低壓MOS管特點(diǎn) :

銳駿中低壓MOSFET目前都是SGT(屏蔽柵極槽/分離柵極槽)工藝,

   如圖1所示.

SGT垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),可以獲得降低Rsp和減小Cgd的作用.

SGT的深溝槽可以獲得近似板場(chǎng)結(jié)構(gòu)的作用，二維橫向耗盡外延層，從而可以將三角形電場(chǎng)分布調(diào)整成近似矩形分布(圖2),從而可以在較高外延層摻雜濃度下還可以保證較高的擊穿電壓，降低Rdson;

   同時(shí)可以通過工藝調(diào)整獲得低Ciss和Coss，進(jìn)一步降低開關(guān)損耗.

同時(shí)內(nèi)部自帶的RC吸收電路(圖3所示)，可以進(jìn)一步緩解管子關(guān)斷時(shí)  Vds上的應(yīng)力和振蕩頻率;

由于快充基本都是采用QR模式,副邊管子都是工作在零電壓開通和接近0電流關(guān)斷, 同時(shí)由于不同的設(shè)計(jì)，管子驅(qū)動(dòng)電壓可能會(huì)有所要求(最低Vgs=4.5V);所以對(duì)管子開啟電壓Vth, 內(nèi)阻Rdson 和小Cgd/Cgs有要求.

1.1 額定電壓

VDSS:漏極(D)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。

VGSS :柵極(G)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。

1.2 額定電流

ID(DC):漏極允許通過的最大直流電流值

此值受到導(dǎo)通阻抗、封裝和內(nèi)部連線等的制約

TC =25℃ (假定封裝緊貼無限大散熱板) lD(Pulse) :漏極允許通過的最大脈沖電流值

此值還受到脈沖寬度和占空比等的制約

1.3 額定功耗

PT：芯片所能承受的最大功耗，其測(cè)定條件有以下兩種：

 ①TC=25°C的條件…緊接無限大放熱板，封裝

C: Case的簡(jiǎn)寫  背面溫度為25°C (圖1)

 ②TA=25°C的條件.…直立安裝不接散熱板

A: Ambient的簡(jiǎn)寫  環(huán)境溫度為25°C(圖2)

1.4 額定溫度

Tch：MOSFET的溝道的上限溫度：一般Tch≤150°C  (例)

 Tstg：MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的產(chǎn)品，其保存溫度范圍為：最低-55°C，最高150°C(例)

1.5 熱阻

表示熱傳導(dǎo)的難易程度。熱阻值越小，散熱性能越好。如果使用手冊(cè)上沒有注明熱阻值時(shí)，可根據(jù)額定功耗PT及Tch將其算出。

①溝道/封裝之間的熱阻 (有散熱板的條件)

②熱阻Rth的計(jì)算

例1：計(jì)算MOS溝道 /封裝之間的熱阻

MOS的額定功耗PT（TC= 25°C)

PT=[ 100 ](W)

因此

例2 :計(jì)算MOS溝道/環(huán)境之間的熱阻

③溝道溫度Tch的計(jì)算，利用熱阻抗計(jì)算溝道溫度

有散熱板的情況下：

直立安裝無散熱板的情況下：

1.6 安全動(dòng)作區(qū)SOA

SOA = Safe Operating Area 

或 AOS = Area of Safe Operating

①正偏壓時(shí)的安全動(dòng)作區(qū)

1.7 抗雪崩能力保證

對(duì)馬達(dá)、線圈等電感性負(fù)載進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作時(shí)，關(guān)斷的瞬間會(huì)有感生電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生。

①電路比較

(1)以往產(chǎn)品(無抗雪崩保證)的電路必須有吸收電路以保證瞬間峰值電壓不會(huì)超過VDSS。

(2)有抗雪崩能力保證的產(chǎn)品，MOSFET自身可以吸收瞬間峰值電壓而無需附加吸收電路。

②實(shí)際應(yīng)用例

額定電壓VDSS為600V的MOSFET的雪崩波形(開關(guān)電源)

③抗雪崩能力保證定義

 單發(fā)雪崩電流IAS：下圖中的峰值漏極電流

 單發(fā)雪崩能量EAS：一次性雪崩期間所能承受的能量，以Tch≤150°C為極限

 連續(xù)雪崩能量EAR：所能承受的反復(fù)出現(xiàn)的雪崩能量，以Tch≤150°C為極限

MOS選型計(jì)算

MOS管選型需要滿足幾個(gè)要求：

1.足夠的漏-源電壓VDS

2.足夠的漏極電流ID

3.快速開關(guān)的能力和開通，關(guān)斷延時(shí)

4.低的導(dǎo)通電阻Rds(on)

例：如圖，假設(shè)該電路輸出功率為850W，負(fù)載8Ω，MOS管如何選型？

1.Vds電壓是多少？

根椐P=U*U/R得出輸出的平均電壓U=82V,這是平均值，需要化成峰值電壓Uo=1.41421*U=116V  又因?yàn)殡娫蠢寐蕿?5%,所以Vp=Uo/85%=136V ,Vn=136V.所以Vds要大于136*2=272V

2. ID如何計(jì)算

根椐P=I*I*R,得出 I=10.3A

所以MOS管的選型選應(yīng)Vds>272V,ID>10.3A

選MOS管主要指標(biāo)如下：

基本滿足要求

1.漏-源電壓VDS=300V

2.漏極電流ID=34A  （大概為持續(xù)電流10—30%）

3.上升電間ton=140ns

 4.關(guān)斷時(shí)間toff=120ns

 5.電阻RDS(on)=0.056Ω

6.柵極電荷Qg=77nc

MOS管驅(qū)動(dòng)如何選擇

可以通過計(jì)算得到MOS管在一個(gè)完整開關(guān)周期內(nèi)所需的功率Pg 計(jì)算公式為：

Pg=Vgs*Qg*fsw 其中Vgs柵極驅(qū)動(dòng)電壓，fsw開關(guān)頻率

假如MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電壓12V,開關(guān)頻率為200KHZ時(shí)消耗的功率為：

Pg=12*77*10-9*200*103=0.1848W

驅(qū)動(dòng)需要提供的平均電流為：I=Pg/Vgs=15.4mA

根椐經(jīng)驗(yàn)MOS管開通和關(guān)斷電間約為200ns,因此可以反推出驅(qū)動(dòng)需要的提供瞬間電流為：Imax=Qg/t=77nc/200ns=385mA

所以MOS管驅(qū)動(dòng)需要提供電流大于385mA,因?yàn)槭歉邏篗OS，需要提供浮動(dòng)的柵極的驅(qū)動(dòng)

第二部分MOS產(chǎn)品上的應(yīng)用