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- 其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET
- AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉換器的應用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(982)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET
- AGM1010A2是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET，它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉換器應用的優(yōu)秀RD SON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1182)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM310AP1溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫
- 100%EAS保證綠色設備可用*超低柵極電荷優(yōu)異的CdV/dt效應衰減先進的高電池密度溝槽技術。AGM310AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET，它提供了同步降壓轉換器的應用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1276)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽溝式N-溝道MOSFET-聚泉鑫
- AGM308AP是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET，它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉換器應用的優(yōu)秀RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(893)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM306AP溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫
- AGM306AP是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉換器的應用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(815)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM311MAP芯片溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫
- AGMSEMI AGM311MAP，耐壓30V，導阻10.5mΩ，DFN3.3*3.3封裝，用于線圈驅動。AGM311MAP是高單元密度溝槽N溝道MOSFET，它提供了同步降壓轉換器的應用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1018)
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- 其他芯片方案 英集芯IP5356充電流控制寄存器,口輕載電流設置寄存器
- IP5356 支持 LED1LED2 復用為12C 的連接方式，按照對應的方式連接和上電就會關閉其他功能，自進入12C模式。IP5356 i2c 通訊頻率最高支持 300K ，8bit 寄存器地址，8bit 寄存器數(shù)據(jù)，發(fā)送和接收都是高位在前(MSB)，12C 設備地址有兩組，一組:寫為 0xE8，...
2023-08-09 查看(1525)
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- 其他芯片方案 IP2218 USB接口的快速充電物理層IC_聚泉鑫
- IP2218是一款USB端口專用的快速充電物理層芯片，支持11種快速充電標準，包括USBPD2.0/PD3.0/PPS(可編程電源),HVDCPQC2.0/QC3.0(快速充電) ，Allied CapitalCorporation (三星@自適應快速充電)、SCP(海思超級充電協(xié)議)和FCP (海...
2023-06-17 查看(1000)
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- 其他芯片方案 英集芯IP2189端口的快充協(xié)議 IC_聚泉鑫
- IP2189 具備高集成度和豐富的功能，應用方案外圍器件最少化，有效減小整體方案的尺寸和復雜度，降低 BOM 成本。為適配器、車充等單向輸出應用提供完整的 TypeC PD 解決方案。...
2023-06-17 查看(886)
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