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英諾賽科ISG6234AQH全球首發(fā)：700V高性價比GaN半橋芯片
2025-07-15 18:05 網(wǎng)絡 聚泉鑫科技 瀏覽次數(shù)：（）
英諾賽科
全球GaN技術領導者英諾賽科（Innoscience） 正式推出劃時代產(chǎn)品 ISG6234AQH SolidGaN?。這款全集成700V半橋GaN芯片創(chuàng)新性融合雙210mΩ E-Mode GaN FET、智能門極鉗位驅(qū)動及DESAT短路保護，采用緊湊型QFNGX8 6x8mm封裝。憑借8-20V寬門極輸入、可調(diào)開關斜率及零反向恢復電荷三大核心技術，ISG6234AQH為工業(yè)電機驅(qū)動、高效充電器、LED電源等中功率應用提供極致性價比解決方案。
技術突破：智能集成，工業(yè)級防護
? 革命性三合一架構
| 傳統(tǒng)方案 | ISG6234AQH方案 | 用戶收益 |
|---|---|---|
| 2顆分立GaN FET | 單芯片集成雙210mΩ GaN | 減少60%占板面積 |
| 外置驅(qū)動IC+保護電路 | 內(nèi)置門極鉗位驅(qū)動+DESAT保護 | 降低系統(tǒng)成本35% |
| 復雜寄生參數(shù)管理 | 優(yōu)化內(nèi)部布線設計 | EMI降低15dB |
? 核心性能優(yōu)勢
安全防護
集成DESAT短路保護：響應速度＜100ns，短路故障處理速度提升5倍
750V脈沖耐壓：工業(yè)浪涌環(huán)境下可靠性提升50%
智能控制
8-20V寬門極輸入：兼容TI/ST/Infineon主流控制器
可調(diào)開關斜率：通過單電阻實現(xiàn)EMI與效率平衡優(yōu)化
能效革新
零反向恢復電荷(Qrr=0)：高頻工況下效率提升3-5%
超低熱阻封裝：Exposed Pads設計使熱阻降低40%
| 參數(shù) | 傳統(tǒng)IGBT方案 | 分立GaN方案 | ISG6234AQH方案 |
|---|---|---|---|
| 系統(tǒng)成本 | $3.2 | $4.8 | $2.9 |
| PCB面積(mm2) | 1200 | 800 | 480 |
| 峰值效率 | 92% | 96% | 97.5% |
| 短路響應時間 | 2μs | 500ns | <100ns |
| 開發(fā)周期 | 12周 | 16周 | 6周 |
為什么選擇ISG6234AQH？
ISG6234AQH的推出標志著中功率GaN應用進入普惠時代。這款芯片以210mΩ導通電阻精準定位50W-500W市場，通過全集成設計解決中小功率場景的成本痛點。無論是智能工廠的伺服驅(qū)動，還是高端家電的節(jié)能電機，ISG6234AQH都能提供超越硅基方案的性能體驗。
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