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英諾賽科GaN FET INN650D02氮化鎵60W快充方案
基于英諾賽科GaN FET INN650D02氮化鎵功率器件打造的60W快充充電器方案，具有如下特點：
（1）體積小，從外觀上看，GaN氮化鎵PD快充充電器的體積，明顯比普通PD快充充電器小很多，至少能縮小40%左右，非常的小巧。
（2）溫度低，充電器在工作時，不管是充電、放電，均能比同等功率的充電器，功耗小、發(fā)熱量低至少10度左右。手感溫度良好。
（3）重量輕，由于采用了英諾賽科GaN FET INN650D02氮化鎵功率器件，能夠大大縮減電子元器件，從而使得充電器的重量減輕不少，至少減輕30%的重量。
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英諾賽科GaN氮化鎵60W充電器，輸出支持：5V/3A，9V/3A、12V/3A，15V/3A，20V/3A
【GaN】中文名【氮化鎵】是一種新型半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、耐酸堿、高強度和高硬度等特性。采用GaN氮化鎵元件，充電器不僅僅可以做到體積小和重量輕，在發(fā)熱量和效率轉換上相比舊款充電器也更具優(yōu)勢。
【GaNFast】充電技術使得移動充電器在保持與老款充電器相同的外殼尺寸情況下，充電速度提高達5倍?，F(xiàn)有的慢速、笨重的硅基充電器設計正在迅速被GaNFast設計取代，因為GaNFast技術固有的能力可以將開關速度提高100倍，減少元器件并增加功率輸出以實現(xiàn)快充，是時候使用GaNFast了！
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