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英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設(shè)計(jì)介紹

2023-03-03 09:28      20w氮化鎵方案   PD快充參考設(shè)計(jì)    瀏覽次數(shù):(

英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設(shè)計(jì)介紹:


(1)英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設(shè)計(jì)初級(jí)采用兩顆電解電容濾波,次級(jí)采用固態(tài)電容,680μF16V,永銘VPX系列,協(xié)議小板垂直焊接。

 

 

(2)英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設(shè)計(jì)左側(cè)是輸出的同步整流電路,南芯SC3503同步整流控制器芯片右側(cè)為英諾賽科 INN100L12,僅為同步整流控制器2/3面積;同時(shí)初級(jí)控制器也是來(lái)自南芯,型號(hào)SC3001B。

 

(3)20w氮化鎵方案PD快充寬約22mm。

這套20W氮化鎵參考設(shè)計(jì)高約20mm。

和蘋(píng)果20W PD適配器對(duì)比,約為一半體積。


基于英諾賽科650V氮化鎵GaN功率器件INN650DA04設(shè)計(jì)的20W PD快充方案PCBA

  英諾賽科INN650DA04采用1.9*2.9mm FCLGA倒裝封裝,相比DFN5*6封裝的同步整流管,不僅體積優(yōu)勢(shì)明顯,工作頻率更高,其優(yōu)化的走線更加方便高頻大電流走線。適用于同步整流,數(shù)字功放,包絡(luò)跟蹤供電和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器。相比傳統(tǒng)Si MOS,均可降低驅(qū)動(dòng)損耗,和反向恢復(fù)損耗,提高工作頻率,提升功率密度,是傳統(tǒng)Si MOS的理想替代品。


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